相控陣列變頻微波技術 解決晶片生成缺陷問題

新竹振道／記者簡舒祺／新竹報導

隨著半導體製程的演進，元件線寬及膜厚均達10奈米左右，元件容易因傳統高溫退火帶來的副作用，導致元件失效，為了解決晶片生成缺陷問題，工研院研發「相控陣列變頻微波技術」，這項新技術能在攝氏500度以下，透過微波相位與變頻整合的控制，達到半導體材料低溫均勻加熱的目的。

這項技術製程相較於微波退火做法，成本節省約一半的費用，更具市場競爭力，目前除了已經與國際半導體廠合作，達到設備國產化外，也技轉給傳統產業業者、回收廠商及學術單位等合作促成產業化。

工研院研發的「相控陣列變頻微波技術開發」技術，具備高彈性、高均勻性、及全方面受熱的二高一全特色，不僅確保受熱面面俱到、低溫消除晶片缺陷，還能解決傳統微波頻率固定的問題。