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SK keyfoundry開發「基於雙向SCR的片上EMC保護技術」,以提升汽車半導體可靠性

2026-06-25 08:00
發布在 美通社
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SK keyfoundry開發「基於雙向SCR的片上EMC保護技術」,以提升汽車半導體可靠性
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韓國首爾2026年6月25日 /美通社/ — 韓國8英吋純晶圓代工廠SK keyfoundry宣佈,該公司近期已開發出「基於雙向可控硅整流器(Bi-SCR)的片上EMC保護技術」,能夠大幅提升汽車半導體的電磁兼容(EMC)性能。該公司表示,這項技術已被成功應用於其0.13微米BCD(雙極-CMOS-DMOS)工藝產品,並已進入量產階段。

隨著車輛中電子元件的集成度快速提升,確保半導體即便在極端電應力條件下仍能正常工作、不發生故障,已成為核心挑戰。傳統的ESD(靜電放電)保護器件主要被限定於控制芯片製造或組裝過程中的瞬間放電,這項新開發的技術則是一種設計解決方案,能夠在芯片內部完全控制嚴苛的系統級EMC環境,包括滿足ISO 10605等汽車標準所要求的、車輛運行期間能夠持續產生電應力的場景。

SK keyfoundry所實現的「雙向SCR(可控硅整流器)」結構,具備靈活的觸發電壓調節能力和出色的大電流處理能力。尤其是,該結構具有高面積效率,在優化汽車功率IC(集成電路)的保護能力方面表現優異——這類芯片面臨嚴苛的空間限制,並要求高集成度。最值得注意的是,作為一種「片上」(On-Chip)解決方案,它具有重大意義,可以在芯片內部有效控制EMC應力,無需再使用TVS(瞬態電壓抑制)二極管等外部保護元件,而這些元件在此前的系統設計中是必不可少的。由此,客戶可以在最大化電路設計和空間效率的同時,將系統保護性能提升至最高水平。

這一成果被視為SK keyfoundry多年積累的獨特汽車BCD工藝技術與其先進的EMC和ESD保護設計能力相結合的結晶。以此次成功量產為跳板,該公司計劃持續擴展基於高壓LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)、BJT(雙極結型晶體管)、SCR和二極管的保護器件產品線。此外,SK keyfoundry還計劃加強其在各類高可靠性汽車應用領域的市場競爭力,如汽車PMIC(電源管理IC)、電機驅動器和功率控制IC等。

SK keyfoundry首席執行官Derek D. Lee表示:「在近期汽車半導體市場中,超越簡單的器件級ESD性能,在實際嚴苛的汽車電子系統環境下的『EMC魯棒性』正成為新興的核心競爭優勢。這項基於雙向SCR的片上EMC保護技術的成功量產與應用,是一座意義重大的技術里程碑,將汽車半導體產品的可靠性和系統穩定性提升到了新的水平。」他補充說:「我們將持續強化汽車客戶所需的高可靠性、高耐壓、高效率工藝平台,鞏固我們差異化的晶圓代工競爭力。」

新聞來源:PR Newswire

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