日本京都2026年1月22日 /美通社/ — Nuvoton Technology Corporation Japan（以下簡稱「NTCJ」）於1月20日宣佈，開始量產其高功率紫外光半導體雷射二極體(379 nm, 1.0 W)。該產品採用直徑9.0 mm的CAN封裝(TO-9)，可實現行業領先(*)的光功率輸出。透過NTCJ專有的器件結構和先進的高散熱封裝技術，該產品實現了短波長、高功率和長壽命這三個先前被認為難以達成的紫外半導體雷射元素，有助於提升先進半導體封裝無掩模光刻的圖形化精密度和生產效率。

（*）截至2026年1月16日，基於NTCJ對波長為379 nm、TO-9 CAN封裝、在25°C殼溫(Tc)下連續波(CW)運行的半導體雷射的研究。

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隨著人工智能(AI)的發展推動信息處理能力需求增長，對半導體性能的要求較以往也在不斷提高。另一方面，隨著電晶體微縮化發展接近其物理和經濟極限，半導體後端封裝技術和先進半導體封裝技術（通過並排排列或垂直堆疊多個半導體晶片的集成方案）正引起關注。

這些封裝技術的演進，離不開無掩膜曝光技術的支持。作為無掩模光刻技術中的關鍵光源之一，半導體雷射面臨著向更短波長（接近i線365 nm）和更高輸出功率發展的不斷增長的需求，以實現更精細的線路和提高設備產能。為滿足這些要求，NTCJ憑藉40多年的雷射設計和製造經驗，開發並商業化了波長為379 nm、輸出功率達1.0 W的紫外光半導體雷射。

紫外光半導體雷射通常存在由於低光電轉換效率(WPE)引起的顯著熱量產生問題，以及由紫外光引起的器件退化傾向，這使得在1.0 W以上的高輸出水準下實現穩定運行變得困難。為解決這一問題，NTCJ採取了雙管齊下的方法，同時專注於「提高WPE的器件結構」和「有效散熱的高熱傳導封裝技術」，成功開發出一款兼具短波長、高功率和長壽命的產品：1.0 W紫外線(379 nm)器件。這有助於延長紫外光光學器件的壽命。

該產品作為NTCJ的「基於半導體雷射的汞燈替代產品」系列的新成員，為客戶提供了新的選擇。

NTCJ將在美國三藩市舉行的SPIE Photonics West 2026展會以及日本橫濱舉辦的OPIE’26展會的展台上展示這款新產品的詳細資訊。NTCJ誠摯期待您的蒞臨。

產品詳情，請瀏覽：https://nuvoton.co.jp/semi-spt/apl/rd/?id=1100-0172

關於Nuvoton Technology Corporation Japan：https://www.nuvoton.co.jp/en/

SPIE Photonics West 2026新唐展位網頁：https://spie.org/ExhibitorDetail?ExpoID=5022&ExhibitorID=105454

OPIE（國際光學與光電技術展覽會）：https://www.opie.jp/en/

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日本京都2025年2月26日 /美通社/ — Nuvoton Technology Corporation Japan (NTCJ)已開發出用於48V型锂電池的工業應用17通道BM-IC産品「KA49701A」和「KA49702A」。這兩款產品預計將於2025年4月開始量產。這些產品提高了電池系統的安全性，並確保系統構建簡單且安全。

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1. 電池監控IC的作用是在電池出現過充或過放等異常情況時,確保系統安全運行。然而，如果執行電芯電壓測量的主要電路，如BM-IC的模數轉換器（AD轉換器）或多路複用器發生故障，就需要通過外部保護電路來確保系統安全，但這會增加電路板面積和系統成本。該產品的主要內部電路配備了診斷和失效保護功能。這種診斷功能可以檢測出主要電路的故障並控制斷路開關，既提高了電池管理系統(BMS)的安全性，又降低了系統成本。

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2. 通過降低16位AD轉換器的噪聲水平並集成數碼濾波器，NTCJ實現了行業領先的電壓測量精度，達到+/-2.9mV (*1)。提高電壓測量精度可以充分利用電池的最大容量。此外，在較寬的溫度範圍內也實現了精確的電壓測量。它還適用於在寒冷和炎熱環境中需要進行高精度電壓測量的應用場景，例如符合中國相關國家標準的固定電池系統(*2)。

(*1) 根據Nuvoton截至2025年2月在工業級BM-IC領域進行的調查。
(*2) GB/T34131-2023，系統 +/-5mV 以下-20°C至65°C。

3. 通過縮短耗電較高的電芯電壓測量時間，工作電流已降至260微安，不到NTCJ之前標準的十分之一。這延長了電池的驅動時間。此外，通過優化電路設計，關機電流消耗降低到0.1微安或以下。使用NTCJ的集成電路，可以最大限度地減少自放電，防止鋰離子電池在長途運輸和長期儲存過程中因過放電而導致性能下降。

如需瞭解該產品的更多詳細信息，請瀏覽：https://www.nuvoton.com/products/battery-management/battery-monitoring-ics/non-stackable/
關於Nuvoton Technology Corporation Japan：https://www.nuvoton.co.jp/en/

新聞來源：PR Newswire

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日本京都2025年1月24日 /美通社/ — Nuvoton Technology Corporation Japan（以下簡稱「NTCJ」）於1月15日宣佈推出業界領先的(*)靛藍半導體雷射，其光輸出功率為1.7 W，波長420 nm。NTCJ將在其SPIE Photonics West 2025（1月28日至30日，美國舊金山）和LASER World of PHOTONICS 2025（6月24日至27日，德國慕尼黑）展臺上展示這款新產品和汞燈替代光源解決方案的詳細信息。公司將歡迎所有訪客蒞臨展位參觀。

(*)截至2025年1月15日，基於NTCJ對發射波長為420 nm的半導體雷射的研究結果。

圖片：https://cdn.kyodonewsprwire.jp/prwfile/release/M108245/202501152909/_prw_PI1fl_8Vt0JjN4.png

1.該產品採用小型TO-56 CAN封裝，在接近汞燈g線的420 nm波長上實現了業界領先的1.7 W光輸出功率。使用這種高輸出、緊湊型產品可提高光源器件設計的靈活性，從而開發出比汞燈更小的光源器件。

2.NTCJ擁有40多年的經驗，光盤用半導體雷射的出貨量超過30億台，在半導體雷射的設計和製造方面積累了豐富的專業知識。其最新開發的靛藍半導體雷射集成了專有的光學設計和散熱技術，實現了高效率和長期可靠性。與汞燈相比，它降低了功耗和光源更換頻率，從而降低了光源的運行成本。

3.該產品發出的雷射波長為420 nm，接近汞燈的g線，可與NTCJ量產的紫外半導體雷射(378 nm)和紫色半導體雷射(402 nm)組合使用，作為汞燈i線(365 nm)、h線(405 nm)和g線(436 nm)的替代光源。此外，根據應用場景調整每種半導體雷射的輸出功率比，也可以實現汞燈無法實現的高度靈活的光學設計。

欲知產品詳情，請訪問：https://www.nuvoton.com/products/laser-diodes/semiconductor-laser/index.html

關於Nuvoton Technology Corporation Japan：https://www.nuvoton.co.jp/en/

Nuvoton在SPIE Photonics West 2025的展位詳情: https://spie.org/ExhibitorDetail?ExpoID=5008&ExhibitorID=102912

LASER World of PHOTONICS 2025詳情: https://world-of-photonics.com/en/trade-fair/

新聞來源：PR Newswire

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